0

NE3513M04-T2B-A

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD | Renesas Electronics Corporation
Fiyat Aralığı
Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

TedarikçiStokMinFiyatTeslimatGüncellendiAdetİşlem
Future Electronics
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Arrow
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Mouser
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
TME
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Farnell
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Digi-Key
0020 HaftaPending refreshStokta Yok
Genel Bakış
Dokümanlar

Ürün Açıklaması

RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold

Özellikler

  • Gain: 13dB
  • Frequency: 12GHz
  • Technology: GaAs HJ-FET
  • Noise Figure: 0.65dB
  • Configuration: N-Channel
  • Current - Test: 10 mA
  • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
  • Power - Output: 125mW
  • Voltage - Test: 2 V
  • Voltage - Rated: 4 V
  • Current Rating (Amps): 60mA
  • Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold