SIA436DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6 | Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

Fiyat Aralığı

Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

Tedarikçi	Stok	Min	Fiyat	Teslimat	Güncellendi	Adet	İşlem
Future Electronics	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Arrow	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Mouser	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
TME	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Farnell	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Digi-Key	0	0		20 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok

Genel Bakış

Dokümanlar

Ürün Açıklaması

N-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Özellikler

Grade: -
FET Type: N-Channel
Vgs (Max): ±5V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature: -
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: -
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)

https://www.vishay.com/docs/63535/sia436dj.pdf