0

SI7617DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix
Fiyat Aralığı
Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

TedarikçiStokMinFiyatTeslimatGüncellendiAdetİşlem
Future Electronics
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Arrow
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Mouser
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
TME
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Farnell
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Digi-Key
0020 HaftaPending refreshStokta Yok
Genel Bakış
Dokümanlar

Ürün Açıklaması

P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Özellikler

  • Grade: -
  • FET Type: P-Channel
  • Vgs (Max): ±25V
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Feature: -
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Qualification: -
  • Package / Case: PowerPAK® 1212-8
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
  • Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)