0

SSM6L35FU(TE85L,F)

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6 | Toshiba Semiconductor and Storage
Fiyat Aralığı
Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

TedarikçiStokMinFiyatTeslimatGüncellendiAdetİşlem
Future Electronics
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Arrow
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Mouser
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
TME
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Farnell
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Digi-Key
0020 HaftaPending refreshStokta Yok
Genel Bakış
Dokümanlar

Ürün Açıklaması

Mosfet Array 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6

Özellikler

  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
  • Power - Max: 200mW
  • Configuration: N and P-Channel
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
  • Supplier Device Package: US6
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA