NXH007F120M3F2PTHG

MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM | onsemi

MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM

Fiyat Aralığı

Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

Tedarikçi	Stok	Min	Fiyat	Teslimat	Güncellendi	Adet	İşlem
Future Electronics	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Arrow	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Mouser	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
TME	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Farnell	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Digi-Key	0	0		20 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok

Genel Bakış

Dokümanlar

Ürün Açıklaması

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 149A (Tc) 353W (Tj) Chassis Mount 34-PIM (56.7x42.5)

Özellikler

Grade: -
Technology: Silicon Carbide (SiC)
FET Feature: -
Power - Max: 353W (Tj)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Qualification: -
Package / Case: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)

https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/nxh007f120m3f2-d.pdf