EPC2103

MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE | EPC

MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE

Fiyat Aralığı

Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

Tedarikçi	Stok	Min	Fiyat	Teslimat	Güncellendi	Adet	İşlem
Future Electronics	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Arrow	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Mouser	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
TME	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Farnell	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Digi-Key	0	0		20 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok

Genel Bakış

Dokümanlar

Ürün Açıklaması

Mosfet Array 80V 28A Surface Mount Die

Özellikler

Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature: -
Power - Max: -
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Supplier Device Package: Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A

https://epc-co.com/epc/Portals/0/epc/documents/datasheets/EPC2103_datasheet.pdf