0

SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP | Vishay Siliconix
Fiyat Aralığı
Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

TedarikçiStokMinFiyatTeslimatGüncellendiAdetİşlem
Future Electronics
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Arrow
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Mouser
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
TME
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Farnell
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Digi-Key
0020 HaftaPending refreshStokta Yok
Genel Bakış
Dokümanlar

Ürün Açıklaması

Mosfet Array 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP

Özellikler

  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Feature: Logic Level Gate
  • Power - Max: 1.6W, 1.7W
  • Configuration: N and P-Channel
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • Supplier Device Package: 8-TSSOP
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A