DMTH6016LSDQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO | Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO

Fiyat Aralığı

Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

Tedarikçi	Stok	Min	Fiyat	Teslimat	Güncellendi	Adet	İşlem
Future Electronics	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Arrow	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Mouser	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
TME	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Farnell	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Digi-Key	0	0		20 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok

Genel Bakış

Dokümanlar

Ürün Açıklaması

Mosfet Array 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO

Özellikler

Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature: -
Power - Max: 1.4W, 1.9W
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)

https://www.diodes.com/assets/Datasheets/DMTH6016LSDQ.pdf