0
Giriş Yap
Kayıt Ol
Ana Sayfa
Tüm Kategoriler
Discrete Semiconductor Products
Transistors
Bipolar (BJT)
Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV

RN1705,LF

TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV | Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Fiyat Aralığı
Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

TedarikçiStokMinFiyatTeslimatGüncellendiAdetİşlem
Future Electronics
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Arrow
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Mouser
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
TME
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Farnell
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Digi-Key
0020 HaftaPending refreshStokta Yok
Genel Bakış
Dokümanlar

Ürün Açıklaması

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

Özellikler

  • Power - Max: 200mW
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
  • Frequency - Transition: 250MHz
  • Supplier Device Package: USV
  • Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705