0
Giriş Yap
Kayıt Ol
Ana Sayfa
Tüm Kategoriler
Discrete Semiconductor Products
Transistors
Bipolar (BJT)
Bipolar RF Transistors
RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM

MT3S111TU,LF

RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM | Toshiba Semiconductor and Storage
RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Fiyat Aralığı
Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

TedarikçiStokMinFiyatTeslimatGüncellendiAdetİşlem
Future Electronics
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Arrow
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Mouser
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
TME
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Farnell
003 - 4 HaftaPending refreshStokta Yok
Digi-Key
0020 HaftaPending refreshStokta Yok
Genel Bakış
Dokümanlar

Ürün Açıklaması

RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM

Özellikler

  • Gain: 12.5dB
  • Power - Max: 800mW
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Frequency - Transition: 10GHz
  • Supplier Device Package: UFM
  • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
https://toshiba.semicon-storage.com/info/MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU