SSM6K217FE,LF

MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 | Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Fiyat Aralığı

Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

Tedarikçi	Stok	Min	Fiyat	Teslimat	Güncellendi	Adet	İşlem
Future Electronics	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Arrow	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Mouser	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
TME	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Farnell	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Digi-Key	0	0		20 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok

Genel Bakış

Dokümanlar

Ürün Açıklaması

N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6

Özellikler

Grade: -
FET Type: N-Channel
Vgs (Max): ±12V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature: -
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: -
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: ES6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)

https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=15010&prodName=SSM6K217FE