TK9J90E,S1E

MOSFET N-CH 900V 9A TO3P | Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

Fiyat Aralığı

Fiyatlar 0 tedarikçiden derlenmiştir. KDV hariçtir. Miktara göre değişiklik gösterebilir.

Collecting offers...

Tedarikçi	Stok	Min	Fiyat	Teslimat	Güncellendi	Adet	İşlem
Future Electronics	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Arrow	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Mouser	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
TME	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Farnell	0	0		3 - 4 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok
Digi-Key	0	0		20 Hafta	Pending refresh		Stokta Yok

Genel Bakış

Dokümanlar

Ürün Açıklaması

N-Channel 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

Özellikler

Grade: -
FET Type: N-Channel
Vgs (Max): ±30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature: -
Mounting Type: Through Hole
Qualification: -
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)

https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=14044&prodName=TK9J90E